Предложенная IBM и Samsung память MRAM похоронит флеш-память для гаджетов

IBM и Samsung совместными усилиями разрабатывают магниторезистивную (MRAM) память следующего поколения с использованием технологии STT (spin-transfer torque), что позволит создавать более эффективные микросхемы памяти небольшой емкости для датчиков Интернета вещей, носимых устройств и мобильной техники, где в настоящее время для хранения данных используется флеш-память NAND. Двум компаниям впервые удалось уменьшить норму проектирования до 11 нанометров при длительности импульса в 10 наносекунд и силе тока, не превышающей 7,5 микроампер, что, по свидетельству разработчиков, является «значительным достижением». Если флеш-памяти NAND для записи данных требуется одна миллисекунда, то у MRAM эта процедура занимает всего 10 наносекунд. Таким образом, память MRAM в 100 тыс. раз превосходит NAND по скорости записи и в 10 раз по скорости чтения. В обозримом будущем память STT MRAM вряд ли придет на смену микросхемам DRAM, но встроенную флеш-память она вполне способна потеснить, поскольку MRAM быстрее, легче интегрируется и обладает практически неограниченным ресурсом циклов чтения и записи.