Toshiba ускоряет память на ферроэлектриках

Компания Toshiba представила новую версию микросхем памяти FeRAM (Ferroelectric RAM), которая обеспечивает скорость чтения и записи данных, в восемь раз превосходящую показатели более ранних прототипов. FeRAM — относительно новый тип памяти. В нем сочетаются скорость микросхем DRAM, использующихся сегодня повсеместно в качестве основной памяти компьютеров, и возможность сохранения данных после отключения питания, характерная для чипов флэш-памяти, которые находят применение в сотовых телефонах, фотоаппаратах и других потребительских электронных устройствах.

Память FeRAM совершенствуется уже несколько лет, но до массового выпуска этой продукции дело пока так и не дошло. Новая разработка была представлена на недавней конференции International Solid-State Circuits Conference в Сан-Франциско. Емкость чипа составляет 128 Мбит, а скорость операций чтения и записи — 1,6 Гбит/с. По сравнению с предыдущим прототипом FeRAM, который был продемонстрирован Toshiba в 2006 году, разработчикам удалось добиться заметного прогресса. Тогда чип емкостью 64 Мбит обеспечивал скорость передачи данных на уровне 200 Мбит/с. Toshiba работает над переводом данной технологии на коммерческие рельсы, и микросхема, представленная на ISSCC, стала последней в ряду прототипов. Конкретных планов начала производства у Toshiba пока нет; одним из главных препятствий остается очень высокая цена. Микросхемы нового типа могли бы применяться в качестве кэш-памяти. Обеспечивая высокую скорость чтения и записи, они в то же время позволяют сохранить все 128 Мбит данных в случае отключения питания, а также отличаются более высокой плотностью размещения ячеек по сравнению с обычной флэш-памятью.